TEAC ロードセルサイト
圧縮・引張型ロードセル
引張・圧縮型ロードセル TUシリーズ

TU-GR☐☐KN-G

RoHS対応

薄型なため、高さの制限がある場合に適しているロードセルです。連続繰り返し負荷を加える場合は、定格容量の2分の1以下で使用することにより疲労寿命を延長することができます。耐偏芯特性と耐疲労特性に優れています。
精度クラス:0.05%(一部定格を除く)

旧型式 TU-GR:基本仕様は従来品のまま環境対応(RoHS)に適合しました。

特長/用途
センターホール・せん断型

TU-GR☐☐KN-G

  • 主な仕様
  • 外形寸法図
  • 事例
  • ダウンロード

主な仕様

単位 定格容量
N 0.5 1 1.5 2 3 5 10 20 50 100 200 500  
kN 1 2 3 5 10 20 30 50 100 200 300 500 1000

SI単位から従来単位への換算表はこちら

定格容量 固有振動数 質量(約)
5kN 3.5kHz 2.2kg
10kN 5kHz 2.2kg
20kN 7.6kHz 2.2kg
50kN 8.8kHz 3.7kg
100kN 7kHz 8.5kg
200kN 5.6kHz 20kg
500kN 5.9kHz 54kg
1000kN 3.3kHz 140kg
型式 TU-GR☐☐KN-G
許容過負荷 150%R.C.
定格出力 2mV/V±1%
直線性 0.05%R.O.(5kN~200kN)
0.15%R.O.(500kN、1000kN)
ヒステリシス 0.1%R.O.(5kN~200kN)
0.15%R.O.(500kN、1000kN)
繰り返し性 0.03%R.O.(5kN~200kN)
0.1%R.O.(500kN、1000kN)
許容印加電圧 20V
入力端子間抵抗 350Ω±3.5Ω
出力端子間抵抗 350Ω±3.5Ω
絶縁抵抗 1000MΩ以上(DC50V)
補償温度範囲 -10℃~60℃
許容温度範囲 -30℃~80℃
零点温度影響 0.05%R.O./10℃
出力の温度影響 0.1%R.C./10℃
ケーブル φ8、4芯シールドケーブル、5m直結、先端バラ
固定方法 ボルト穴
本体材質 合金工具鋼
付属品 アイボルト
環境対応 RoHS(10物質)

外形寸法図

TU-GR☐☐KN-G 外形寸法図

定格容量 A φB φC φD φE F φG H I J K L M N
5kN 510kgf 40 105 65 35 20 M18×1.5 85 8-φ9 77 50 25 3 1 -
10kN 1.02tf 40 105 65 35 20 M18×1.5 85 8-φ9 77 50 25 3 1 -
20kN 2.04tf 40 105 65 35 20 M18×1.5 85 8-φ9 77 50 25 3 1 -
50kN 5.1tf 50 120 74 40 26 M24×1.5 95 8-φ11 86 50 25 4 1 -
100kN 10.2tf 65 160 100 60 40 M36×2 130 8-φ18 108.5 55 30 5 1 -
200kN 20.4tf 80 220 140 80 55 M50×2 180 8-φ26 140.5 55 30 5 1 2-M8
500kN 51tf 100 330 200 135 90 M85×2 265 8-φ33 203.5 70 40 7 2 4-M10
1000kN 102tf 140 460 280 190 115 M110×3 370 16-φ33 270.0 70 40 7 2 4-M10

※幾何公差・許容曲げモーメント・許容横荷重・許容トルク等の値は、取扱説明書に記載しています。

事例

  • 射出成形機の荷重測定
  • ウェハーダイシングマシンの加圧力制御
  • ラッピング・ポリッシュ加工時の押し圧管理
  • 疲労試験機用ロードセル
  • 2次電池製造時の加圧管理
  • 衝撃荷重の測定

ダウンロード

製品カタログ PDF
取扱説明書 ※ダウンロードには会員登録が必要です。 PDF
※ダウンロードには会員登録が必要です。
外形寸法図(PDF) ※ダウンロードには会員登録が必要です。 PDF
※ダウンロードには会員登録が必要です。
2Dデータ(形式:DXF) ※ダウンロードには会員登録が必要です。 ZIP
※ダウンロードには会員登録が必要です。
3D外観図(データ形式:STEP) ※ダウンロードには会員登録が必要です。 STEP
※ダウンロードには会員登録が必要です。

【関連製品】指示計/アンプ/ロードセルアクセサリ(一部製品)

自動車各機能の試験・計測用製品ページ
半導体製造用製品ページ
Kulite 半導体圧力トランスデューサー