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Kulite半導体型圧力トランスデューサー
シリコンダイアフラム XTE-190(M)

特長
広温度型

※受注生産品
発注単位は5個以上になります。
米国に在庫がある場合、1個単位の販売も可能です。
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型名 XTE-190(M)
定格
（1psi=0.07kgf/cm2
=6.895kPa）
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圧力 絶対最大圧力 出力電圧（NOM） 共振周波数
5psi 10psi 100mV 150kHz
10psi 20psi 175kHz
15psi 30psi 200kHz
25psi 50psi 240kHz
印加電圧 10VDC
ブリッジインピーダンス 入力：1,000Ω（MIN）
出力：1,000Ω（NOM）
零バランス（最大） ±5mV（TYP.）
非直線性・ヒステリシス ±0.1％FSO BFSL（TYP.）
繰り返し精度 ±0.5％FSO（MAX.）
温度補償範囲 25℃～232℃
動作許容温度範囲 -55℃～273℃
感度変化温度特性（TYP） ±1.0％/55℃（25℃～235℃）
零点移動温度特性（TYP）
（ドリフト）		 ±1.0％FS/55℃（25℃～235℃）
測定モード A,G,D（5,10） / A,G,SD,D（15,20）
ケーブル長 約90cm（#32AWG 4芯シールド線）
質量 約4g（ケーブル除く）
ネジ部 10-32UNF-2A
* G：ゲージ圧（大気開放型）SG：ゲージ圧（1気圧封入型）A：絶対圧 D：差圧
定格換算表（1psi=0.07kgf/cm2=6.895kPa）
psi kgf/cm2 kPa
5 0.35 34.5
10 0.70 69.0
15 1.05 103.4
25 1.76 172.4
50 3.52 344.8
100 7.03 689.5
200 14.06 1,379.0
250 17.58 1,723.8
300 21.09 2,068.5
500 35.15 3,447.5
1,000 70.31 6,895.0
2,000 140.61 13,790.0
5,000 351.54 34,475.0
10,000 703.07 68,950.0
20,000 1,406.14 137,900.0
30,000 2,109.21 206,850.0
外形寸法図
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